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山东天岳自主研高纯半绝缘碳化硅

发布时间:2015-07-20 10:51:28 | 来源:未知
山东天岳现在已经列入国家重点新兴科技项目战略发展项目之中。山东天岳的碳化硅系列产品以3英寸、4英寸N型和半绝缘衬底为主。山东天岳自主研制的4英寸高纯半绝缘碳化硅(SiC)衬底产品面世. 中国电子材料行业协会组织的专家认为,该成果国内领先,已达到国际先

  山东天岳现在已经列入国家重点新兴科技项目战略发展项目之中。山东天岳的碳化硅系列产品以3英寸、4英寸N型和半绝缘衬底为主。山东天岳自主研制的4英寸高纯半绝缘碳化硅(SiC)衬底产品面世. 中国电子材料行业协会组织的专家认为,该成果国内领先,已达到国际先进水平。

  4英寸高纯半绝缘碳化硅产品生长、加工难度大,一直是国内空白,国际上只有少数国家掌握该项技术,并一直对我国进行技术封锁和产品禁运。山东天岳公司通过自主创新开发出满足下游客户需求的4英寸高纯半绝缘碳化硅衬底,填补了国内空白,使我国实现自主可控的生产该重要战略半导体材料。

  基于高纯半绝缘SiC衬底的GaN微波功率器件具有高频、大功率和耐高温的特性,可以极大地改善雷达系统的性能,是新一代雷达系统的核心,主要应用领域包括机载雷达系统、地面雷达系统、舰载雷达系统以及弹载雷达系统等,是新一代雷达、卫星通讯、通讯基站的核心,具有重要的应用价值和广阔的应用前景。